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TSML1020	文件：353.14 Kbytes Page：10 Pages	HighPowerInfraredEmittingDiode,950nm,GaAlAs/GaAs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSML1020	文件：199.07 Kbytes Page：9 Pages	HighPowerInfraredEmittingDiode,RoHSCompliant,940nm,GaAlAs/GaAs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSML1020	文件：241.74 Kbytes Page：9 Pages	HighPowerInfraredEmittingDiode,RoHSCompliant,940nm,GaAlAs/GaAs DESCRIPTION TSML1000isaninfrared,940nmemittingdiodeinGaAlAsmultiquantumwell(MQW)technologywithhighradiantpowerandhighspeedmoldedinaclear,untintedplasticpackage(withlens)forsurfacemounting(SMD). FEATURES •Packagetype:surfacemount •Packageform:GW,RGW,yo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSML1020	文件：365.79 Kbytes Page：9 Pages	ExtentedPowerIREmittingDiodeinSMDPackage DESCRIPTION TSML1000isaninfrared,940nmemittingdiodeinGaAlAsmultiquantumwell(MQW)technologywithhighradiantpowerandhighspeedmoldedinaclear,untintedplasticpackage(withlens)forsurfacemounting(SMD). FEATURES •Packagetype:surfacemount •Packageform:GW,RGW,yo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSML1020	文件：196.83 Kbytes Page：9 Pages	HighPowerInfraredEmittingDiode,940nm,GaAlAs,MQW	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSML1020	文件：164.06 Kbytes Page：9 Pages	HighPowerInfraredEmittingDiode,940nm,GaAlAs,MQW DESCRIPTION TSML1000isaninfrared,940nmemittingdiodeinGaAlAs multiquantumwell(MQW)technologywithhighradiant powerandhighspeedmoldedinaclear,untintedplastic package(withlens)forsurfacemounting(SMD). FEATURES •Packagetype:surface-mount •Packageform:GW,RG	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TTB1020B	文件：207.51 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistorsSiliconPNPTriple-DiffusedType Applications •High-CurrentSwitching •HammerDrivers Features (1)HighDCcurrentgain:hFE=2000(min)(VCE=-3V,IC=-3A) (2)Lowcollector-emittersaturationvoltage:VCE(sat)=-1.5V(max)(IC=-3A,IB=-6mA) (3)ComplementarytoTTD1415B	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TZ1020A	文件：300.48 Kbytes Page：7 Pages	CrystalUnitSMD3.2x2.525.00MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount3.2mmx2.5mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TZA1020	文件：153.98 Kbytes Page：36 Pages	Pre-amplifiersforCD-RWsystems	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
TZA1020A	文件：153.98 Kbytes Page：36 Pages	Pre-amplifiersforCD-RWsystems	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
TJA1020T/VM
功能描述：
射频收发器 LIN TRANSCEIVER
RoHS：
否
制造商：
Atmel
频率范围：
2322 MHz to 2527 MHz
最大数据速率：
2000 Kbps
调制格式：
OQPSK
输出功率：
4 dBm
工作电源电压：
1.8 V to 3.6 V
最大工作温度：
+ 85 C
接口类型：
SPI
封装/箱体：
QFN-32
封装：
Tray

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