首页 >TJ8S06M3L-VB>规格书列表
| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
P-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=-60V,ID=-30A RDS(ON) | BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司 | Bychip | ||
SiliconP-ChannelMOS(U-MOS) 1.Applications •Automotive •MotorDrivers •DC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators 2.Features (1)AEC-Q101qualified (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=80mΩ(typ.)(VGS=-10V) (3)Lowleakagecurrent:IDSS=-10μA(max)(VDS=-60V) (4)Enhancementmode:Vth | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
P-Channel60-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
AutomotiveMotorDriversDC-DCConvertersSwitchingVoltageRegulators | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|
更多TJ8S06M3L-VB供应商
更新时间
