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TJ8S06M3L	文件：950.18 Kbytes Page：4 Pages	P-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=-60V,ID=-30A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
TJ8S06M3L	文件：278.12 Kbytes Page：9 Pages	SiliconP-ChannelMOS(U-MOS) 1.Applications •Automotive •MotorDrivers •DC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators 2.Features (1)AEC-Q101qualified (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=80mΩ(typ.)(VGS=-10V) (3)Lowleakagecurrent:IDSS=-10μA(max)(VDS=-60V) (4)Enhancementmode:Vth	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TJ8S06M3L	文件：989.95 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TJ8S06M3L	文件：247.69 Kbytes Page：9 Pages	AutomotiveMotorDriversDC-DCConvertersSwitchingVoltageRegulators	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

更多TJ8S06M3L,LXHQ供应商更新时间2025-5-24 11:06:00