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iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=11.2Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Automotive ·DC-DCConverters ·MotorDrivers | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
SiliconP-ChannelMOS(U-MOS) 1.Applications •Automotive •MotorDrivers •DC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators 2.Features (1)AEC-Q101qualified (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=8.6mΩ(typ.)(VGS=-10V) (3)Lowleakagecurrent:IDSS=-10μA(max)(VDS=-60V) (4)Enhancementmode:Vt | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
MOSFETsSiliconP-ChannelMOS(U-MOS) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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