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TJ150F06M3L	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TJ150F06M3L	文件：314.23 Kbytes Page：10 Pages	MotorDrivers Features (1)AEC-Q101qualified (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=4.3mΩ(typ.)(VGS=-10V) (3)Lowleakagecurrent:IDSS=-10µA(max)(VDS=-60V) (4)Enhancementmode:Vth=-2.0to-3.0V(VDS=-10V,ID=-1mA) Applications •Automotive •RelayDrivers •MotorDriver	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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文件：1.58274 Mbytes

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BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

TJ150F06M3L

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MotorDrivers

Features (1)AEC-Q101qualified (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=4.3mΩ(typ.)(VGS=-10V) (3)Lowleakagecurrent:IDSS=-10µA(max)(VDS=-60V) (4)Enhancementmode:Vth=-2.0to-3.0V(VDS=-10V,ID=-1mA) Applications •Automotive •RelayDrivers •MotorDriver

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

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