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TIS97中文资料PDF规格书

TIS97
厂商型号

TIS97

参数属性

TIS97 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 40V 0.5A TO92-3

功能描述

NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

文件大小

96.39 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Micro Electronics
企业简称

MICRO-ELECTRONICS

中文名称

Micro Electronics官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-5-12 16:50:00

晶体管资料

  • 型号:

    TIS97

  • 别名:

    TIS97三极管、TIS97晶体管、TIS97晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    0.2A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BC174,BC182,BC190,BC546,3DG130D,

  • 最大耗散功率:

    0.36W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-20

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    .2

  • wtest:

    .36

TIS97规格书详情

THE TIS97 AND TIS98 ARE LOW NOISE NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS FOR USE IN HI-FI AUDIO AMPLIFIERS AND GENERAL PURPOSE LOW FREQUENCY APPLICATIONS.

产品属性

  • 产品编号:

    TIS97

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    250 @ 100µA,5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS NPN 40V 0.5A TO92-3

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