| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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7年
留言
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onsemiTO-92-3 |
20948 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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8年
留言
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onsemiTO-92-3 |
21000 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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17年
留言
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10000 |
24+ |
现货库存 |
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17年
留言
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FAIRCHILDTO-92 |
93752 |
24+ |
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12年
留言
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onsemiTO-226-3 TO-92-3 标准主体(!- |
9350 |
26+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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5年
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FSC |
66880 |
25+ |
原装正品,欢迎询价 |
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1年
留言
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METSSOP-14 |
8000 |
25+ |
原厂原包装,终端BOM表可配单 |
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7年
留言
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onsemiTO-92-3 |
12369 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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8年
留言
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onsemiTO-92-3 |
12421 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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12年
留言
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onsemiTO-226-3 TO-92-3(TO-226AA) |
9350 |
26+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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1年
留言
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MCELTSSOP-14 |
913 |
25+ |
原厂原包装,终端BOM表可配单 |
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7年
留言
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onsemiTO-92-3 |
18746 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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8年
留言
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onsemiTO-92-3 |
18798 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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onsemiTO-92-3 |
22360 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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8年
留言
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onsemiTO-92-3 |
22412 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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12年
留言
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onsemiTO-226-3 TO-92-3(TO-226AA) |
9350 |
26+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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12年
留言
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onsemiTO-226-3 TO-92-3(TO-226AA) |
9350 |
26+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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TIS97图片
TIS97_D26Z中文资料Alldatasheet PDF
更多TIS97功能描述:两极晶体管 - BJT NPN SS/GPA TO-18 L/F RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
TIS97_01制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier
TIS97_D26Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN SS/GPA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
TIS97_D74Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN SS/GPA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
TIS97_J35Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN SS/GPA TO-18 L/F RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
TIS97_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN SS/GPA TO-18 L/F RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
TIS97
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 电流 - 集电极截止(最大值):
10nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
250 @ 100µA,5V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
- 供应商器件封装:
TO-92-3
- 描述:
TRANS NPN 40V 0.5A TO92-3
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
低频或音频放大 (LF)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
60V
- 最大电流允许值:
0.2A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BC174,BC182,BC190,BC546,3DG130D,
- 最大耗散功率:
0.36W
- 放大倍数:
- 图片代号:
A-20
- vtest:
60
- htest:
999900
- atest:
0.2
- wtest:
0.36













