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TIP30C分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

TIP30C
厂商型号

TIP30C

参数属性

TIP30C 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 100V 1A TO220-3

功能描述

POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
TRANS PNP 100V 1A TO220-3

封装外壳

TO-220-3

文件大小

137.72 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-8 8:48:00

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晶体管资料

  • 型号:

    TIP30C

  • 别名:

    TIP30C三极管、TIP30C晶体管、TIP30C晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    2A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    30W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    2

  • wtest:

    30

TIP30C规格书详情

TIP30C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的TIP30C晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

Complementary Silicon Plastic Power Transistors

Designed for use in general purpose amplifier and switching applications. Compact TO−220 package.

Features

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*

产品属性

更多
  • 产品编号:

    TIP30C

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    700mV @ 125mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    200µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 1A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    3MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    TRANS PNP 100V 1A TO220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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