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TIP30B分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

TIP30B

参数属性

TIP30B 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 80V 1A TO220AB

功能描述

COMPLEMENTARY SILICON EPITAXIAL-BASE POWER TRANSISTORS

封装外壳

TO-220-3

文件大小

56.36 Kbytes

页面数量

1

生产厂商

MICRO-ELECTRONICS

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数据手册

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更新时间

2026-1-24 20:00:00

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晶体管资料

  • 型号:

    TIP30B

  • 别名:

    TIP30B三极管、TIP30B晶体管、TIP30B晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    2A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    30W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    2

  • wtest:

    30

TIP30B规格书详情

COMPLEMENTARY SILICON EPITAXIAL-BASE POWER TRANSISTORS

THE TIP29 SERIES (NPN) AND TIP30 SERIES (PNP) ARE COMPLEMENTARY SILICON EPITAXIAL BASE POWER TRANSISTORS DESIGNED FOR POWER AMPLIFIERS AND SWITCHING APPLICATIONS.

产品属性

  • 产品编号:

    TIP30B-BP

  • 制造商:

    Micro Commercial Co

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    700mV @ 125mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    300µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 200mA,4V

  • 频率 - 跃迁:

    3MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB

  • 描述:

    TRANS PNP 80V 1A TO220AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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