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TIP147T	文件：52.16 Kbytes Page：4 Pages	MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-5A(Min.) •IndustrialUse •ComplementtoTIP140T/141T/142T	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
TIP147T	文件：204.61 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTORS(10A,60-100V,80W) DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS ...designedforgeneral-purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. 10AMPEREDARLINGTIOONCOM:EMEMTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS80WATTS TIP140T,TIP141T,TIP142T-->NPN TIP145T,TIP146T,TIP147T--->PNP	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
TIP147T	文件：161.2 Kbytes Page：2 Pages	SILICONPLANARPOWERDARLINGTONTRANSISTORS SILICONPLANARPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ForuseinPowerLinearandSwitchingApplications	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
TIP147T	文件：53.91 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS Description Thedevicesaremanufacturedinplanartechnologywith“baseisland”layoutandmonolithicDarlingtonconfiguration.Theresultingtransistorsshowexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■MonolithicDarlingtonconfiguration ■	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TIP147T	文件：152 Kbytes Page：8 Pages	ComplementarypowerDarlingtontransistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TIP147T	文件：536.03 Kbytes Page：5 Pages	MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors -HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-3A(Min.) -Collector-EmitterSustainingVoltage -LowCollector-EmitterSaturationVoltage -IndustrialUse -ComplementarytoTIP140/141/142	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
TIP147TPNP	文件：415.68 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANARPOWERDARLINGTONTRANSISTORS SILICONPLANARPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ForuseinPowerLinearandSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
TIP147TTU	文件：601.53 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconDarlingtonTransistor MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-5A(Min.) •IndustrialUse •ComplementtoTIP140T/141T/142T	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
TIP147TU	文件：175.9 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconDarlingtonTransistor Features •MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-5A(Min.) •IndustrialUse •ComplementtoTIP140/141/142	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
TORX147PL	文件：228.09 Kbytes Page：5 Pages	FIBEROPTICRECEIVINGMODULEFORDIGITALAUDIOINTERFACE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

产品属性

产品编号：
TIP147FTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 40mA，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
2mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，4V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3 整包
供应商器件封装：
TO-3PF
描述：
TRANS PNP DARL 100V 10A TO3PF

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TIP147FTU供应商更新时间2025-7-13 10:02:00

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