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TIP127F	文件：213.99 Kbytes Page：3 Pages	NPN/PNP SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS NPN/PNP SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Designed for General-Purpose Amplifier and Low-Speed Switching Applications. 文件：213.99 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
TIP127F	文件：1.8236 Mbytes Page：3 Pages	DARLINGTON TRANSISTOR (NPN) TIP120F,121F,122F DARLINGTON TRANSISTOR (NPN) TIP125F,126F,127F DARLINGTON TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Medium Power Complementary Silicon Transistors 文件：1.8236 Mbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
TIP127F	文件：188.01 Kbytes Page：2 Pages	Darlington TRANSISTOR (NPN) TIP120F,121F,122F Darlington TRANSISTOR (NPN) TIP125F,126F,127F Darlington TRANSISTOR (PNP) FEATURES Medium Power Complementary silicon transistors 文件：188.01 Kbytes 页数：2 Pages	FS	FS
TIP127F	文件：138.01 Kbytes Page：2 Pages	NPN/PNP SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS NPN/PNP SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Designed for General-Purpose Amplifier and Low-Speed Switching Applications. 文件：138.01 Kbytes 页数：2 Pages	TEL	TEL
TIP127F	文件：855.07 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-220F Plastic Package. 文件：855.07 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
TIP127FP	文件：29.78 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Description The devices are manufactured in planar technology with “base island” layout and monolithic Darlington configuration. The resulting transistors show exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Features ■ Low collector-emitter saturation voltage ■ Comp 文件：29.78 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
TIP127FP	文件：279.56 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES ■ FULLY INSULATED PACKAGE (U.L. COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING DESCRIPTION The TIP122FP is a silicon Epitaxial-Base NPN power transistor in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec TO-220FP fully molded isolated package. It is intented 文件：279.56 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
TIP127FP	文件：313.21 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 100V(Min.) ·High Reliability ·Low Collector Saturation Voltage ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·High ruggedness electronic ignitions ·High voltage ignition coil 文件：313.21 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TIP127FP	文件：279.56 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS 文件：279.56 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
TIP127FP	文件：646.57 Kbytes Page：11 Pages	Complementary power Darlington transistors 文件：646.57 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Polarity：
PNP
PCM(mW)：
2000
IC(mA)：
-5000
VCBO(V)：
-100
VCEO(V)：
-100
VEBO(V)：
-5
hFEMin：
-1000
VCE(sat)(V)：
-4
Package：
TO-220F

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