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TIP127D	文件：798.71 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
TIP127F	文件：213.99 Kbytes Page：3 Pages	NPN/PNPSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS NPN/PNPSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DesignedforGeneral-PurposeAmplifierandLow-SpeedSwitchingApplications.	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
TIP127F	文件：138.01 Kbytes Page：2 Pages	NPN/PNPSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS NPN/PNPSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DesignedforGeneral-PurposeAmplifierandLow-SpeedSwitchingApplications.	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
TIP127F	文件：855.07 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-220FPlasticPackage.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
TIP127F	文件：188.01 Kbytes Page：2 Pages	DarlingtonTRANSISTOR(NPN) TIP120F,121F,122FDarlingtonTRANSISTOR(NPN) TIP125F,126F,127FDarlingtonTRANSISTOR(PNP) FEATURES MediumPowerComplementarysilicontransistors	FS First Silicon Co., Ltd	FS
TIP127F	文件：1.8236 Mbytes Page：3 Pages	DARLINGTONTRANSISTOR(NPN) TIP120F,121F,122FDARLINGTONTRANSISTOR(NPN) TIP125F,126F,127FDARLINGTONTRANSISTOR(PNP) FEATURES ●MediumPowerComplementarySiliconTransistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
TIP127FP	文件：313.21 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=100V(Min.) ·HighReliability ·LowCollectorSaturationVoltage ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Highruggednesselectronicignitions ·Highvoltageignitioncoil	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TIP127FP	文件：279.56 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TIP127FP	文件：279.56 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ■STMicroelectronicsPREFERRED SALESTYPES ■FULLYINSULATEDPACKAGE(U.L. COMPLIANT)FOREASYMOUNTING DESCRIPTION TheTIP122FPisasiliconEpitaxial-BaseNPN powertransistorinmonolithicDarlington configurationmountedinJedecTO-220FPfully moldedisolatedpackage.Itisintented	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TIP127FP	文件：29.78 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS Description Thedevicesaremanufacturedinplanartechnologywith“baseisland”layoutandmonolithicDarlingtonconfiguration.Theresultingtransistorsshowexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltage ■Comp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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