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TIP115分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

TIP115

参数属性

TIP115 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP DARL 60V 2A TO220-3

功能描述

PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistors

封装外壳

TO-220-3

文件大小

169.39 Kbytes

页面数量

1

生产厂商

MCC

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更新时间

2025-10-5 17:30:00

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TIP115规格书详情

特性 Features

• High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE=4.0V, IC=1.0A(Min.)

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage

• Complementary to TIP110/111/112

• Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) (P Suffix designat RoHS Compliant. See ordering information)

• Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

• Moisure Sensitivity Level 1

产品属性

  • 产品编号:

    TIP115

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2.5V @ 8mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    2mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 1A,4V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 60V 2A TO220-3

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