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TIP112分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

TIP112

厂商型号	TIP112
参数属性	TIP112 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 100V 2A TO220-3
功能描述	TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors
丝印标识	TIP112
封装外壳	TO-220-3L / TO-220-3
文件大小	1.41633 Mbytes
页面数量	3 页
生产厂商	Nanjing International Group Co
企业简称	DGNJDZ【南晶电子】
中文名称	东莞市南晶电子有限公司官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-5-18 23:00:00
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晶体管资料

型号：
TIP112
别名：
TIP112三极管、TIP112晶体管、TIP112晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD265B,BD701,BDW23C,BDW53C,BDW63C,
最大耗散功率：
50W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-10
vtest：
100
htest：
999900
atest：
4
wtest：
50

TIP112规格书详情

FEATURES

High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE=4V, IC=1A(Min.)

Low Collector-Emitter Saturation Voltage

Industrial Use

产品属性

产品编号：
TIP112
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 8mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
2mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 1A，4V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
TRANS NPN DARL 100V 2A TO220-3

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