TIP106中文资料8.0 A，100 V NPN 达林顿双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

The Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general-purpose amplifier and low speed switching applications. The TIP100, TIP101, TIP102 (NPN); TIP105, TIP106, TIP107 (PNP) are complementary devices.

特性 Features

• High DC Current Gain -hFE = 2500 (typ) @ IC = 4.0 mAdc
• Collector-Emitter Sustaining Voltage--@ 30 mAdcVCEO(sus) = 60 Vdc (Min)-TIP100, TIP105VCEO(sus) = 80 Vdc (Min)-TIP101, TIP106VCEO(sus) = 100 Vdc (Min)-TIP102, TIP107
• Low Collector-Emitter Saturation VoltageVCE(sat) = 2.0 Vdc(Max) @ IC= 3.0 AdcVCE(sat)= 2.5 Vdc(Max) @ IC= 8.0 Adc
• Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors
• TO-220 AB CompactPackage
• Pb-Free Packages are Available

简介

TIP106属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由ONSEMI制造生产的TIP106晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。