TIP100数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF
TIP100规格书详情
描述 Description
The Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general-purpose amplifier and low speed switching applications. The TIP100, TIP101, TIP102 (NPN); TIP105, TIP106, TIP107 (PNP) are complementary devices.
特性 Features
• High DC Current Gain -hFE = 2500 (typ) @ IC = 4.0 mAdc
• Collector-Emitter Sustaining Voltage--@ 30 mAdcVCEO(sus) = 60 Vdc (Min)-TIP100, TIP105VCEO(sus) = 80 Vdc (Min)-TIP101, TIP106VCEO(sus) = 100 Vdc (Min)-TIP102, TIP107
• Low Collector-Emitter Saturation VoltageVCE(sat) = 2.0 Vdc(Max) @ IC= 3.0 AdcVCE(sat)= 2.5 Vdc(Max) @ IC= 8.0 Adc
• Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors
• TO-220 AB CompactPackage
• Pb-Free Packages are Available
简介
TIP100属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的TIP100晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:TIP100
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Polarity
:NPN
- IC Continuous (A)
:8
- V(BR)CEO Min (V)
:60
- VCE(sat) Max (V)
:2
- hFE Min (k)
:1
- hFE Max (k)
:20
- fT Min (MHz)
:4
- Package Type
:TO-220-3
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