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MICROWAVEPOWERGaAsFET | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
MICROWAVEPOWERGaAsFET FEATURES ・BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ・HIGHPOWER P1dB=45.0dBmat5.9GHzto6.4GHz ・HIGHGAIN G1dB=10.0dBat5.9GHzto6.4GHz ・LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3(MIN.)=-44dBcatPout=34dBm(SingleCarrierLevel) ・HERMETICALLYSEALEDPACKAGE | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA |
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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