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MICROWAVEPOWERGaAsFET FEATURES ●HIGHPOWERP1dB=42.5dBmat14.0GHzto14.5GHz ●HIGHGAING1dB=6.0dBat14.0GHzto14.5GHz ●BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ●HERMETICALLYSEALEDPACKAGE ●LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3(Min.)=−25dBcatPo=36dBmSingleCarrierLevel | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA |
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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