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TIM1414-18L

MICROWAVEPOWERGaAsFET

FEATURES ●HIGHPOWERP1dB=42.5dBmat14.0GHzto14.5GHz ●HIGHGAING1dB=6.0dBat14.0GHzto14.5GHz ●BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ●HERMETICALLYSEALEDPACKAGE ●LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3(Min.)=−25dBcatPo=36dBmSingleCarrierLevel

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

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