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TIG064E8 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 SAMSUNG/三星
- 详细信息
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产品属性
- 类型
描述
- 制造商编号
:TIG064E8
- 生产厂家
:安森美
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
:400V
- 脉冲电流 - 集电极 (Icm)
:150A
- 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
:7V @ 2.5V,100A
- 开关能量
:-
- 输入类型
:标准
- 25°C 时 Td(开/关)值
:-
- 测试条件
:-
- 工作温度
:150°C(TJ)
- 安装类型
:表面贴装
- 封装/外壳
:8-SMD,扁平引线
- 供应商器件封装
:8-ECH
供应商
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