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TIG062E8-TL-H数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
TIG062E8-TL-H规格书详情
简介
TIG062E8-TL-H属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的TIG062E8-TL-H晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：TIG062E8-TL-H
- 生产厂家
：ONSEMI
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
：400V
- 脉冲电流 - 集电极 (Icm)
：150A
- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
：8V @ 3V，100A
- 开关能量
：-
- 输入类型
：标准
- 25°C 时 Td（开/关）值
：-
- 测试条件
：-
- 工作温度
：150°C（TJ）
- 安装类型
：表面贴装
- 封装/外壳
：8-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装
：8-ECH
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
12+PBF |
ECH-8 |
255000 |
现货 |
询价 | ||
SAMSUNG |
25+ |
TO-8 |
3000 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
询价 | ||
SAMSUNG |
2025+ |
TO-8 |
3543 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
48000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
23+ |
SOT23-8 |
6000 |
原装正品假一罚百!可开增票! |
询价 | |||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
CSP6 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2023+ |
ECH-8 |
3000 |
原厂全新正品旗舰店优势现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2223+ |
ECH-8 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
SANYO |
2016+ |
SOT23-8 |
2500 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 |
