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TIP126	文件：510.76 Kbytes Page：5 Pages	MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors MonolithicConstructionWithBuiltIn Base-EmitterShuntResistors -HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-3A(Min.) -Collector-EmitterSustainingVoltage -LowCollector-EmitterSaturationVoltage -IndustrialUse -ComplementarytoTIP120/121/122	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
TIP126	文件：321.48 Kbytes Page：4 Pages	PLASTICPOWERTRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS HighPowerSwitching,HammerDrive,PulseMotorDriveandInductiveLoadDriveApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
TIP126	文件：45.71 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearSwitchingApplications PNPEpitaxialDarlingtonTransistor Features •MediumPowerLinearSwitchingApplications •ComplementarytoTIP120/TIP121/TIP122	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
TIP126	文件：242.23 Kbytes Page：6 Pages	PNP(MEDIUMPOWERLINEARSWITCHINGAPPLICATIONS) MEDIUMPOWERLINEARSWITCHINGAPPLICATIONS •ComplementtoTIP121	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
TIP126	文件：53.42 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS Description Thedevicesaremanufacturedinplanartechnologywith“baseisland”layoutandmonolithicDarlingtonconfiguration.Theresultingtransistorsshowexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltage ■Comp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TIP126	文件：105.7 Kbytes Page：6 Pages	PNPSILICONPOWERDARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewith TIP120,TIP121andTIP122 ●65Wat25°CCaseTemperature ●5AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof1000at3V,3A	POINN Power Innovations Ltd	POINN
TIP126	文件：251.64 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON5AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–speedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain— hFE=2500(Typ)@IC=4.0Adc •Collector–EmitterSustainingVoltage—@100mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)—TIP12	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
TIP126	文件：206.87 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTORS(5.0A,60-100V,65W) ...designedforgeneral−purposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. FEATURES: •Collector−EmitterSustainingVoltage− VCEO(sus)=60V(Min)−TIP120,TIP125 =80V(Min)−TIP121,TIP126 =100V(Min)−TIP122,TIP127 •LowColl	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
TIP126	文件：49.48 Kbytes Page：2 Pages	Si-EpitaxialPlanarTransistors Si-EpitaxialPlanarTransistors •Collectorcurrent5A •PlasticcaseTO-220AB •Weightapprox.2.2g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
TIP126	文件：243.33 Kbytes Page：4 Pages	DarlingtonPowerTransistors(PNP) DarlingtonPowerTransistors(PNP) Features •Designedforgeneral-purposeamplifierandlowspeed switchingapplications •RoHSCompliant	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON

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产品属性

产品编号：
TIC126M-S
制造商：
Bourns Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶闸管 - SCR
包装：
散装
电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)：
100A @ 50Hz
SCR 类型：
标准恢复型
工作温度：
-40°C ~ 110°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
SCR 600V 12A TO220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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