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TIP126	文件：163.14 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPDarlingtonPowerTransistors Features •MountingTorgue:5in-lbsMaximum •ThecomplementaryNPNtypesaretheTIP121/2/3respectively •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
TIP126	文件：510.76 Kbytes Page：5 Pages	MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors MonolithicConstructionWithBuiltIn Base-EmitterShuntResistors -HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-3A(Min.) -Collector-EmitterSustainingVoltage -LowCollector-EmitterSaturationVoltage -IndustrialUse -ComplementarytoTIP120/121/122	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
TIP126	文件：184.24 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPDarlingtonPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-220Cpackage •DARLNGTON •HighDCcurrentgain •Lowcollectorsaturationvoltage •ComplementtotypeTIP120/121/122 APPLICATIONS •Designedforgeneral–purposeamplifier andlow–speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TIP126	文件：224.84 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPDarlingtonPowerTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
TIP126	文件：114.79 Kbytes Page：7 Pages	PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP126	文件：108.29 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •WithTO-220Cpackage •DARLNGTON •HighDCcurrentgain •Lowcollectorsaturationvoltage •ComplementtotypeTIP120/121/122 APPLICATIONS •Designedforgeneral–purposeamplifier andlow–speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TIP126	文件：69.1 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerdarlingtonComplementarytransistors DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTORTIP120,TIP125seriestypesareComplementarySiliconPowerDarlingtonTransistorsdesignedforlowspeedswitchingandamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
TIP126	文件：168.58 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialDarlingtonTransistor PNPEpitaxialDarlingtonTransistor Features •MediumPowerLinearSwitchingApplications •ComplementarytoTIP120/TIP121/TIP122	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
TIP126	文件：100.15 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICMEDIUM-POWERCOPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS ...designedforgeneral−purposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. FEATURES: •Collector−EmitterSustainingVoltage− VCEO(sus)=60V(Min)−TIP120,TIP125 =80V(Min)−TIP121,TIP126 =100V(Min)−TIP122,TIP127 •LowCollec	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
TIP126	文件：510.76 Kbytes Page：5 Pages	MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors MonolithicConstructionWithBuiltIn Base-EmitterShuntResistors -HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-3A(Min.) -Collector-EmitterSustainingVoltage -LowCollector-EmitterSaturationVoltage -IndustrialUse -ComplementarytoTIP120/121/122	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW

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产品属性

产品编号：
TIC126D-S
制造商：
Bourns Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶闸管 - SCR
包装：
散装
电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)：
100A @ 50Hz
SCR 类型：
标准恢复型
工作温度：
-40°C ~ 110°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
SCR 400V 12A TO220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TIC126D-S供应商更新时间2025-7-29 14:02:00

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