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TIP116	文件：194.97 Kbytes Page：4 Pages	DarlingtonPowerTransistors(PNP) Features •Designedforgeneral-purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications •RoHSCompliant	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
TIP116	文件：160.91 Kbytes Page：6 Pages	PNPSILICONPOWERDARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewith TIP110,TIP111andTIP112 ●50Wat25°CCaseTemperature ●4AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof500at4V,2A	POINN Power Innovations Ltd	POINN
TIP116	文件：269.51 Kbytes Page：6 Pages	PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors Designedforgeneral−purposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain− hFE=2500(Typ)@IC =1.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage−@30mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP116	文件：269.51 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON2AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
TIP116	文件：146.97 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(2.0A,60-100V,50W)	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
TIP116	文件：50 Kbytes Page：4 Pages	MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-1A(Min.) •LowCollector-EmitterSaturationVoltage •IndustrialUse •ComplementarytoTIP110/111/112	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
TIP116	文件：722.93 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONPOWERDARLINGTONS PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearandSwitchingApplications	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
TIP116	文件：153.15 Kbytes Page：3 Pages	PLASTICMEDIUM-POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS	bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半导体公司	boca
TIP116	文件：99.95 Kbytes Page：8 Pages	PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP116	文件：378.73 Kbytes Page：2 Pages	PNPEpitaxialSiliconDarlingtonTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

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详细参数

型号：
TIC116S
功能描述：
双向可控硅 600V 8A SCR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
开启状态：
RMS
电流(It_RMS)：
16 A
不重复通态电流：
120 A 额定重复关闭状态电压
VDRM：
600 V
关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）：
5 uA
开启状态电压：
保持电流（Ih
最大值）：
45 mA
栅触发电压(Vgt)：
1.3 V
栅触发电流(Igt)：
1.75 mA
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
TO-220AB

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