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DMTH8003STLWQ-13	文件：748.07 Kbytes Page：7 Pages	Marking：TH8003STL；Package：POWERDI1012-8；80V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Ratedto+175°C–IdealforHighAmbientTemperature Environments 100UnclampedInductiveSwitching(UIS)TestinProduction– EnsuresMoreReliableandRobustEndApplication HighConversionEfficiency LowRDS(ON)–MinimizesOnStateLosses WettableFlankforImprovedO	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

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DMTH8003STLWQ-13

文件：748.07 Kbytes

Page：7 Pages

Marking：TH8003STL；Package：POWERDI1012-8；80V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Features Ratedto+175°C–IdealforHighAmbientTemperature Environments 100UnclampedInductiveSwitching(UIS)TestinProduction– EnsuresMoreReliableandRobustEndApplication HighConversionEfficiency LowRDS(ON)–MinimizesOnStateLosses WettableFlankforImprovedO

DIODES

Diodes Incorporated

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更多TH8003STL供应商更新时间2025-5-24 13:01:00

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