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TH58NYG2S3HBAI6数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF

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厂商型号

TH58NYG2S3HBAI6

参数属性

TH58NYG2S3HBAI6 封装/外壳为63-BGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA

功能描述

NAND闪存 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

封装外壳

63-BGA

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-8 17:22:00

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技术参数

  • 产品编号:

    TH58NYG2S3HBAI6

  • 制造商:

    Kioxia America, Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NAND(SLC)

  • 存储容量:

    4Gb(512M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    25ns

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    63-BGA

  • 供应商器件封装:

    63-BGA(9x11)

  • 描述:

    IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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