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TH58BVG3S0HTA00	文件：300 bytes Page：1 Pages	BENAND (Built-in ECC SLCNAND) Capacity (bit)：8G(4G×2)\nTech. node (nm)：24\nPage size (bit)：(4096+128)×8\nBlock size (bit)：(256K+8K)×8\nI/O (bit)：8\nKeyword：8Gbit BENAND, 3.3V, x8, 24nm, TSOP\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available	Toshiba 东芝	Toshiba
TH58BVG3S0HTA00	文件：2.74223 Mbytes Page：54 Pages	MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 文件：2.74223 Mbytes 页数：54 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TH58BVG3S0HTA00	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：散装类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I	Kioxia America, Inc.	Kioxia America, Inc.
TH58LKT1Y25BA8C	文件：0 bytes Page：0 Pages	N/A	Toshba 上传：海芯未来半导体电子（深圳）有限公司	Toshba
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