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UPA1709G	文件：234.15 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=9.3mΩ(TYP.)(VGS=10V,ID=4.5A) RDS(on)2=13.8mΩ(TYP.)(VGS=4.5V,ID=4.5A) •LowCiss:Ciss=1850pF(TYP.) •Built-inG-Sprotectiondiode •Smallandsurfacemountpackage(Power	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1709G	文件：1.71381 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
UPA1709G	文件：79.46 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandpowermanagementswitch. FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=9.3mΩ(TYP.)(VGS=10V,ID=4.5A) RDS(on)2=13.8mΩ(TYP.)(VGS=4.5V,ID=4.5A) •LowCiss:Ciss=1850pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=9.3mΩ(TYP.)(VGS=10V,ID=4.5A) RDS(on)2=13.8mΩ(TYP.)(VGS=4.5V,ID=4.5A) •LowCiss:Ciss=1850pF(TYP.) •Built-inG-Sprotectiondiode •Smallandsurfacemountpackage(Power

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

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SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandpowermanagementswitch. FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=9.3mΩ(TYP.)(VGS=10V,ID=4.5A) RDS(on)2=13.8mΩ(TYP.)(VGS=4.5V,ID=4.5A) •LowCiss:Ciss=1850pF

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