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TIP120	文件：270.32 Kbytes Page：2 Pages	DarlingtonTRANSISTOR(NPN)	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
TIP120	文件：49.07 Kbytes Page：1 Pages	PlasticMediumPowerComplementarySiliconTransistor TESTSPECIFICATION PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistor	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
TIP120	文件：1.46806 Mbytes Page：2 Pages	TO-220-3LPlastic-EncapsulateTransistors TO-220-3LPlastic-EncapsulateTransistors TIP120,121,122DarlingtonTRANSISTOR(NPN) TIP125,126,127DarlingtonTRANSISTOR(PNP) FEATURES ●MediumPowerComplementarySiliconTransistors	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
TIP120	文件：69.1 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerdarlingtonComplementarytransistors DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTORTIP120,TIP125seriestypesareComplementarySiliconPowerDarlingtonTransistorsdesignedforlowspeedswitchingandamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
TIP120	文件：168.14 Kbytes Page：5 Pages	NPNEpitaxialDarlingtonTransistor Features •MediumPowerLinearSwitchingApplications •ComplementarytoTIP125/TIP126/TIP127	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
TIP120	文件：129.08 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNDarlingtonPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
TIP120	文件：321.48 Kbytes Page：4 Pages	PLASTICPOWERTRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS HighPowerSwitching,HammerDrive,PulseMotorDriveandInductiveLoadDriveApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
TIP120	文件：103.57 Kbytes Page：3 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
TIP120	文件：108.35 Kbytes Page：2 Pages	DarlingtonTRANSISTOR(NPN)	FS First Silicon Co., Ltd	FS
TIP120	文件：100.15 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICMEDIUM-POWERCOPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS ...designedforgeneral−purposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. FEATURES: •Collector−EmitterSustainingVoltage− VCEO(sus)=60V(Min)−TIP120,TIP125 =80V(Min)−TIP121,TIP126 =100V(Min)−TIP122,TIP127 •LowCollec	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

详细参数

型号：
TFMBJ120C-W
功能描述：
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 bi-dir
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
极性：
Bidirectional
击穿电压：
58.9 V
钳位电压：
77.4 V
峰值浪涌电流：
38.8 A
封装/箱体：
DO-214AB
最小工作温度：
- 55 C
最大工作温度：
+ 150 C

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市明嘉莱科技有限公司	TFMBJ120C-W	RECTRON	2020+	DO-214AA-2(SMB)	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳诚思涵科技有限公司	TFMBJ12CA-W	RECTRON	19+	DO-214AA	200000	原装库存	询价
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更多TFMBJ120C-W供应商更新时间2025-7-12 17:00:00

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