TIP120分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

厂商型号	TIP120
参数属性	TIP120 封装/外壳为TO-220-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 60V TO220-3
功能描述	Silicon Power darlington Complementary transistors TRANS NPN DARL 60V TO220-3
封装外壳	TO-220-3
文件大小	69.1 Kbytes
页面数量	2 页
生产厂商	Central Semiconductor Corp
企业简称	CENTRAL
中文名称	美国中央半导体官网
原厂标识
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-8-2 19:19:00
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TIP120规格书详情

TIP120属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由美国中央半导体制造生产的TIP120晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

DESCRIPTION

The CENTRAL SEMICONDUCTOR TIP120, TIP125 series types are Complementary Silicon Power Darlington Transistors designed for low speed switching and amplifier applications.

产品属性

产品编号：
TIP120
制造商：
Central Semiconductor Corp
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
4V @ 20mA，5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 3A，3V
频率 - 跃迁：
4MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
TRANS NPN DARL 60V TO220-3

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