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TIP110	文件：72.23 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION TheTIP110andTIP112aresiliconEpitaxial-BaseNPNtransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationmountedinJedecTO-220plasticpackage.Theyareintentedforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareTIP115andTIP117. ■STMicroe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TIP110	文件：101.68 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewith TIP115,TIP116andTIP117 ●50Wat25°CCaseTemperature ●4AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof500at4V,2A	POINN Power Innovations Ltd	POINN
TIP110	文件：269.51 Kbytes Page：6 Pages	PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors Designedforgeneral−purposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain− hFE=2500(Typ)@IC =1.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage−@30mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP110	文件：269.51 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON2AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
TIP110	文件：146.97 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(2.0A,60-100V,50W)	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
TIP110	文件：99.95 Kbytes Page：8 Pages	PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP110	文件：72.48 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICPOWERTRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearandSwitchingApplications TO-220PlasticPackage	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
TIP110	文件：194.09 Kbytes Page：4 Pages	DarlingtonPowerTransistors(NPN) DarlingtonPowerTransistors(NPN) Features •Designedforgeneral-purposeamplifierandlowspeed switchingapplications •RoHSCompliant	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
TIP110	文件：76.15 Kbytes Page：3 Pages	TO-220-PowerTransistorsandDarlingtons	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
TIP110	文件：122.78 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNDarlingtonPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-220Cpackage •DARLINGTON •HighDCcurrentgain •Lowcollectorsaturationvoltage •ComplementtotypeTIP115/116/117 APPLICATIONS •Forindustrialuse	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC

详细参数

型号：
TFMBJ110C-W
功能描述：
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 bi-dir
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
极性：
Bidirectional
击穿电压：
58.9 V
钳位电压：
77.4 V
峰值浪涌电流：
38.8 A
封装/箱体：
DO-214AB
最小工作温度：
- 55 C
最大工作温度：
+ 150 C

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TFMBJ110C-W供应商更新时间2025-7-14 8:32:00

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