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TIP100	文件：218.99 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS PlasticMedium−PowerComplementarySiliconTransistors Designedforgeneral−purposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain−hFE=2500(Typ)@IC=4.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage−@30mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)−	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP100	文件：218.99 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON8AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DARLINGTON8AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60–80–100VOLTS 80WATTS ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–speedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain—hFE=2500(Typ)@IC=4.0Adc •Collector–EmitterSustainingVoltage—@30mAdc	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
TIP100	文件：200.04 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTORS(8A,60-100V,80W) 8AmpereDARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS80WATTS TIP100,TIP101,TIP102-->NPN TIP105,TIP106,TIP107-->PNP	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
TIP100	文件：51.21 Kbytes Page：4 Pages	MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@Vce=4V,Ic=3A(Min.) •Collector-EmitterSustainingVoltage •LowCollector-EmitterSaturationVoltage •IndustrialUse •ComplementarytoTIP105/106/107	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
TIP100	文件：26.06 Kbytes Page：2 Pages	PowerDarlingtonsforLinearandSwitchingApplications TIP100,101,102NPNPLASTICPOWERTRANSISTORS TIP105,106,107PNPPLASTICPOWERTRANSISTORS PowerDarlingtonsforLinearandSwitchingApplications	bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半导体公司	boca
TIP100	文件：87.6 Kbytes Page：7 Pages	PlasticMedium?뭁owerComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP100	文件：75.05 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICPOWERTRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinLinearSwitchingApplications	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
TIP100	文件：93.13 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNDarlingtonPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·DARLINGTON ·HighDCcurrentgain ·Lowcollectorsaturationvoltage ·ComplementtotypeTIP105/106/107 APPLICATIONS ·Forindustrialuse	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
TIP100	文件：107.35 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TIP100	文件：167.79 Kbytes Page：4 Pages	NPNPlasticMedium-PowerSiliconTransistors Features •MountingTorgue:5in-lbsMaximum •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •HighDCCurrentGain:hFE=2500(Typ)@IC=4.0Adc •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LowCollector-EmitterSaturati	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

详细参数

型号：
TFMBJ100C-W
功能描述：
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 bi-dir
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
极性：
Bidirectional
击穿电压：
58.9 V
钳位电压：
77.4 V
峰值浪涌电流：
38.8 A
封装/箱体：
DO-214AB
最小工作温度：
- 55 C
最大工作温度：
+ 150 C

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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