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THN6501U	文件：231.19 Kbytes Page：13 Pages	NPNSiGeRFTRANSISTOR □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzTyp.@VCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	TACHYONICS Tachyonics CO,. LTD	TACHYONICS
THN6501Z	文件：231.19 Kbytes Page：13 Pages	NPNSiGeRFTRANSISTOR □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzTyp.@VCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	TACHYONICS Tachyonics CO,. LTD	TACHYONICS
THN6501Z	文件：230.71 Kbytes Page：15 Pages	SiGeNPNTransistor □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzatVCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	AUK AUK corp	AUK
TM6501	文件：71.34 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
TM6501	文件：70.4 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIER	SPECTRUM Spectrum Instrumentation GmbH	SPECTRUM
TMR6501	文件：412.73 Kbytes Page：5 Pages	SingleChannelTMRMagneticPatternRecognitionSensor FeaturesandBenefits Highsensitivityandexcellentgapperformances Outputvoltageisindependentofscanningspeed Differentialoutput,highCMRRperformance Singlechanneldetection,5mmdetectionwidth Compactsize:L10.5mmxW8mmxH9.6mm Simplestructureforlowcostso	MULTIDIMENSIONMultiDimension Technology Co.,Ltd. 多维科技江苏多维科技有限公司	MULTIDIMENSION
TN6501	文件：71.34 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
TPC6501	文件：175.18 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNEpitaxialType	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC6501	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC6501	文件：148.62 Kbytes Page：5 Pages	TransistorSiliconNPNEpitaxialType	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
TFDS6501
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Fast Infrared Transceiver Module Family(FIR, 4 Mbit/s) for 2.6 V to 5.5 V Operation

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市粤科源兴科技有限公司	TFDS6501E-TR4	VISHAY	13+		10868	原装分销	询价
深圳市欧立现代科技有限公司	TFDS6501E-TR4		24+	N/A	6868	原装现货,可开13%税票	询价
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更多TFDS6501供应商更新时间2025-7-21 9:01:00

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