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TS862IDT	文件：304.36 Kbytes Page：15 Pages	RAILTORAILMICROPOWERBICMOSCOMPARATORS DESCRIPTION TheTS86x(Single,Dual&Quad)isaRailtoRailcomparatorcharacterizedfor2.7Vto10Voperationover-40°Cto+85°Ctemperaturerange.Itexhibitsanexcellentspeedtopowerratio,featuringacurrentconsumptionof6µApercomparatorandaresponsetimeof500nsat2.7Vfor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TS862IN	文件：304.36 Kbytes Page：15 Pages	RAILTORAILMICROPOWERBICMOSCOMPARATORS DESCRIPTION TheTS86x(Single,Dual&Quad)isaRailtoRailcomparatorcharacterizedfor2.7Vto10Voperationover-40°Cto+85°Ctemperaturerange.Itexhibitsanexcellentspeedtopowerratio,featuringacurrentconsumptionof6µApercomparatorandaresponsetimeof500nsat2.7Vfor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TS862IPT	文件：304.36 Kbytes Page：15 Pages	RAILTORAILMICROPOWERBICMOSCOMPARATORS DESCRIPTION TheTS86x(Single,Dual&Quad)isaRailtoRailcomparatorcharacterizedfor2.7Vto10Voperationover-40°Cto+85°Ctemperaturerange.Itexhibitsanexcellentspeedtopowerratio,featuringacurrentconsumptionof6µApercomparatorandaresponsetimeof500nsat2.7Vfor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
UPA862TD	文件：135.07 Kbytes Page：11 Pages	NECsNPNSILICONRFTWINTRANSISTOR DESCRIPTION NECsUPA862TDcontainsoneNE851andoneNE685NPNhighfrequencysiliconbipolarchip.TheNE851isanexcellentoscillatorchip,featuringlow1/fnoiseandhighimmunitytopushingeffects.TheNE685isanexcellentbuffertransistor,featuringlownoiseandhighgain.NECsnewult	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA862TD	文件：291.89 Kbytes Page：12 Pages	NPNSILICONRFTWINTRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
UPA862TD	文件：254.39 Kbytes Page：20 Pages	NPNSiliconRFTwinTransistorwith2DifferentElements FEATURES •Lowvoltageoperation •2differentbuilt-intransistors(2SC5010,2SC5801) Q1:Built-inhighgaintransistor fT=12.0GHzTYP.,⏐S21e⏐2=8.5dBTYP.@VCE=3V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Built-inlowphasedistortiontransistorsuitedforOSCoperation fT=4	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA862TD-A	文件：254.39 Kbytes Page：20 Pages	NPNSiliconRFTwinTransistorwith2DifferentElements FEATURES •Lowvoltageoperation •2differentbuilt-intransistors(2SC5010,2SC5801) Q1:Built-inhighgaintransistor fT=12.0GHzTYP.,⏐S21e⏐2=8.5dBTYP.@VCE=3V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Built-inlowphasedistortiontransistorsuitedforOSCoperation fT=4	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA862TS	文件：222.52 Kbytes Page：12 Pages	NPNSILICONRFTWINTRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINSUPERLEAD-LESSMINIMOLD FEATURES •Lowvoltageoperation •2differentbuilt-intransistors(2SC5435,2SC5800) Q1:Built-inhighgaintransistor fT=12.0GHzTYP.,S21e2=11.0dBTYP.@VCE=3V,IC=10mA,f=2GHz	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
XCSPL862	文件：104.37 Kbytes Page：2 Pages	safetyswitchXCSPL-straightlever-torightortoleft-1NC2NO-M16	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER
XCSTL862	文件：114.57 Kbytes Page：2 Pages	safetyswitchXCSTL-straightlever-torightortoleft-3NC-M16	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER

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