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UPA862TD	文件：254.39 Kbytes Page：20 Pages	NPN Silicon RF Twin Transistor with 2 Different Elements FEATURES •Lowvoltageoperation •2differentbuilt-intransistors(2SC5010,2SC5801) Q1:Built-inhighgaintransistor fT=12.0GHzTYP.,⏐S21e⏐2=8.5dBTYP.@VCE=3V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Built-inlowphasedistortiontransistorsuitedforOSCoperation fT=4	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA862TD	文件：135.07 Kbytes Page：11 Pages	NECs NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR DESCRIPTION NECsUPA862TDcontainsoneNE851andoneNE685NPNhighfrequencysiliconbipolarchip.TheNE851isanexcellentoscillatorchip,featuringlow1/fnoiseandhighimmunitytopushingeffects.TheNE685isanexcellentbuffertransistor,featuringlownoiseandhighgain.NECsnewult	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA862TD	文件：291.89 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
UPA862TD	文件：300 bytes Page：1 Pages	NECs NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR;	RenesasRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	Renesas
UPA862TD	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR;	CEL California Eastern Labs	CEL
UPA862TD-A	文件：254.39 Kbytes Page：20 Pages	NPN Silicon RF Twin Transistor with 2 Different Elements FEATURES •Lowvoltageoperation •2differentbuilt-intransistors(2SC5010,2SC5801) Q1:Built-inhighgaintransistor fT=12.0GHzTYP.,⏐S21e⏐2=8.5dBTYP.@VCE=3V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Built-inlowphasedistortiontransistorsuitedforOSCoperation fT=4	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA862TD-T3	文件：135.07 Kbytes Page：11 Pages	NECs NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR DESCRIPTION NECsUPA862TDcontainsoneNE851andoneNE685NPNhighfrequencysiliconbipolarchip.TheNE851isanexcellentoscillatorchip,featuringlow1/fnoiseandhighimmunitytopushingeffects.TheNE685isanexcellentbuffertransistor,featuringlownoiseandhighgain.NECsnewult	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA862TD-T3	文件：254.39 Kbytes Page：20 Pages	NPN Silicon RF Twin Transistor with 2 Different Elements FEATURES •Lowvoltageoperation •2differentbuilt-intransistors(2SC5010,2SC5801) Q1:Built-inhighgaintransistor fT=12.0GHzTYP.,⏐S21e⏐2=8.5dBTYP.@VCE=3V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Built-inlowphasedistortiontransistorsuitedforOSCoperation fT=4	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA862TD-T3-A	文件：254.39 Kbytes Page：20 Pages	NPN Silicon RF Twin Transistor with 2 Different Elements FEATURES •Lowvoltageoperation •2differentbuilt-intransistors(2SC5010,2SC5801) Q1:Built-inhighgaintransistor fT=12.0GHzTYP.,⏐S21e⏐2=8.5dBTYP.@VCE=3V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Built-inlowphasedistortiontransistorsuitedforOSCoperation fT=4	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA862TD-T3-A	文件：291.89 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL

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