TF414T5G分立半导体产品的晶体管-JFET规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
TF414T5G |
| 参数属性 | TF414T5G 封装/外壳为3-XFDFN；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-JFET；产品描述：JFET N-CH 40V SOT883 |
| 功能描述 | N-Channel JFET 40V, 50 to 130A, 0.11mS, SOT-883 |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT-883 / 3-XFDFN |
| 文件大小 |
287.78 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-7-31 23:01:00 |
| 人工找货 | TF414T5G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
TF414T5G规格书详情
TF414T5G属于分立半导体产品的晶体管-JFET。由安森美半导体公司制造生产的TF414T5G晶体管 - JFET结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或电压控制电阻器的器件。在栅极端子与源极端子之间施加适当极性的电势差就会增加电流流动的阻力，这意味着源极端子与漏极端子之间通道中流动的电流会更少。由于电荷流过源极与漏极端子之间的半导体通道，因此 JFET 不需要偏置电流。
特性 Features
Small IGSS : max 500pA (VGS= 20V, VDS=0V)
Small Ciss : typ 0.7pF (VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz)
Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products
Halogen free compliance
Applications
Impedance conversion, infrared sensor applications
产品属性
更多- 产品编号：
TF414T5G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - JFET
- 包装：
管件
- FET 类型：
N 通道
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
0.7pF @ 10V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
3-XFDFN
- 供应商器件封装：
SOT-883（XDFN3）（1x0.6）
- 描述：
JFET N-CH 40V SOT883
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
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