TF412分立半导体产品的晶体管-JFET规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
TF412 |
| 参数属性 | TF412 封装/外壳为3-XFDFN；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-JFET；产品描述：JFET N-CH 30V 10MA SOT883 |
| 功能描述 | N-Channel JFT 30V, 1.2 to 3.0mA, 5.0mS, SOT-883 |
| 封装外壳 | 3-XFDFN |
| 文件大小 |
296.56 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-9 20:00:00 |
| 人工找货 | TF412价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
TF412规格书详情
TF412属于分立半导体产品的晶体管-JFET。由安森美半导体制造生产的TF412晶体管 - JFET结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或电压控制电阻器的器件。在栅极端子与源极端子之间施加适当极性的电势差就会增加电流流动的阻力，这意味着源极端子与漏极端子之间通道中流动的电流会更少。由于电荷流过源极与漏极端子之间的半导体通道，因此 JFET 不需要偏置电流。
特性 Features
Small IGSS : max 1.0nA (VGS= 20V, VDS=0V)
Small Ciss : typ 4pF (VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz)
Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products
Halogen free compliance
Applications
Low-Frequency general-purpose amplifier,
impedance conversion, infrared sensor applications
产品属性
更多- 产品编号：
TF412ST5G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - JFET
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- FET 类型：
N 通道
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
4pF @ 10V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
3-XFDFN
- 供应商器件封装：
SOT-883（XDFN3）（1x0.6）
- 描述：
JFET N-CH 30V 10MA SOT883
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
25+ |
SOT-883(XDFN3)(1x0.6) |
21000 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
onsemi |
25+ |
SOT-883(XDFN3)(1x0.6) |
20948 |
样件支持,可原厂排单订货! |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-883 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
ON(安森美) |
26+ |
NA |
60000 |
只有原装 可配单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2223+ |
SOT-883 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
XDFN3 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
XDFN3 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-883 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 |
