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TF20NP03N	文件：1.9289 Mbytes Page：8 Pages	N P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET General Description The TF20NP03N combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). It combines one N Channel MOSFET and one P channel MOSFET. Features Advance high cell density Trench technology Low RDS(ON) to minimize conductive 文件：1.9289 Mbytes 页数：8 Pages	TUOFENG 拓锋半导体	TUOFENG
TF2123G-E4	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-723	UTC/友顺上传：深圳广友电子有限公司	UTC/友顺
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更多TF20NP03N供应商更新时间2026-1-26 11:06:00

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