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TEC8012	文件：80.68 Kbytes Page：2 Pages	SILICON PNP EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICA TIONS. SWITCHING APPLICATIONS. FEATURES . Excellent hFE Linearity : hFE(2)=23(Min.) at VCE=-lV, IC=-400mA . 1 Watt Amplifier Application . Complementary to TEC8013 文件：80.68 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TPC8012-H	文件：270.67 Kbytes Page：7 Pages	Switching Regulator Applications Switching Regulator Applications 文件：270.67 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TPC8012-H	文件：125.84 Kbytes Page：4 Pages	Switching Regulator Application DC-DC Converters 文件：125.84 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TPC8012-H	文件：1.00168 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 文件：1.00168 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

晶体管资料

型号：
TEC8012
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
低频或音频放大（LF）_通用（G）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2N4402,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
40
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.625

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