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TP5551U-TR	文件：1.12293 Mbytes Page：16 Pages	UltraLowNoise,3.5MHz,ZeroDrift,RRIOOp-amps	3PEAK3PEAK INC. 思瑞浦思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司	3PEAK
TPCZT5551	文件：1.58529 Mbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor Features HighVoltage HighVoltageAmplifierApplication	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
TPMMDT5551	文件：1.56404 Mbytes Page：4 Pages	NPNNPNPlastic-EncapsulateTransistors Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryPNPTypeAvailable(TPMMDT5401) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
TPQ5551	文件：320.84 Kbytes Page：5 Pages	SERIESTPQQUADTRANSISTORARRAYS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
WTM5551	文件：225.96 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
ZXTN5551FL	文件：218.19 Kbytes Page：8 Pages	160V,SOT23,NPNHighvoltagetransistor Description AhighvoltageNPNtransistorinasmalloutlinesurfacemountpackage. Features •160Vrating •SOT23package Applications •Highvoltageamplification	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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ZXTN5551FLTA	文件：218.19 Kbytes Page：8 Pages	160V,SOT23,NPNHighvoltagetransistor Description AhighvoltageNPNtransistorinasmalloutlinesurfacemountpackage. Features •160Vrating •SOT23package Applications •Highvoltageamplification	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXTN5551G	文件：346.76 Kbytes Page：8 Pages	160V,SOT223,NPNhighvoltagetransistor Features •BVCEO>160V •BVEBO>6V •IC=600mAContinuousCollectorCurrent •LowSaturationVoltage(150mVmax@10mA) •hFEspecifiedupto50mAforahighgainholdup •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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