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VBE1106N

N-Channel100V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBE1106N

N-Channel100V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •100UIStested APPLICATIONS •Primarysideswitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBM1106S

N-Channel100-V(D-S)SuperTrenchPowerMOSFET

APPLICATIONS •IsolatedDC/DCConverters FEATURES •SuperTrenchtechnologyPowerMOSFET •ExcellentgatechargexRds(on)product(FOM) •Verylowon-resfistanceRds(on) •100RgandUISTested

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VEC1106

PNPEpitaxialPlanarSiliconTransistorDC/DCConverterApplications

PNPEpitaxialPlanarSiliconTransistor Features •AdoptionofMBITprocess. •Highcurrentcapacitance. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. •Highspeedswitching. •Ultrasmall-sizedpackagepermittingappliedsetstobemadesmallandslim(0.75mm). •Highallowablepowerdissi

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

VN1106ND

N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETs???

SUTEX

Supertex, Inc

VP1106ND

P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETs?

SUTEX

Supertex, Inc

VTF1106BX

Conformal,SingleIn-LineResistorNetworks(Standard)

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

产品属性

  • 产品编号:

    TE1106

  • 制造商:

    Vishay Sprague

  • 类别:

    电容器 > 铝电解电容器

  • 系列:

    TE

  • 包装:

    散装

  • 容差:

    -10%,+75%

  • 不同温度时使用寿命:

    85°C 时为 2000 小时

  • 工作温度:

    -40°C ~ 105°C

  • 极化:

    极化

  • 应用:

    通用

  • 大小 / 尺寸:

    0.354" 直径 x 0.945" 长(9.00mm x 24.00mm)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    轴向,CAN

  • 描述:

    CAP ALUM 300UF 6V AXIAL

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY(威世)
24+
插件,D9xL32mm
7350
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SPRAGUE
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DIP28
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ROHM/罗姆
23+
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50000
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ROHM/罗姆
24+
NA/
5750
原装现货,当天可交货,原型号开票
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更多TE1106供应商 更新时间2025-6-24 22:59:00