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U1302	文件：657.1 Kbytes Page：17 Pages	TOCHANGEWITHOUTNOTICEACCESSORIES	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
U1302	文件：1.12243 Mbytes Page：36 Pages	SurgeProtection	EATONEaton All Rights Reserved. 伊顿伊顿公司	EATON
UES1302	文件：86.67 Kbytes Page：2 Pages	RECTIFIERS DESCRIPTION TheUES1104seriesisspecificallydesignedforoperationinpowerswitchingcircuitsoperatingatfrequenciesofatleast20KHz. FEATURES ●VeryLowForwardVoltage(1.15V) ●VeryFastRecoveryTimes(50nSec) ●SmallSize ●ConvenientPackage	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UES1302	文件：168.39 Kbytes Page：2 Pages	HIGHEFFICIENCYRECTIFIERS3.5AMP	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
UES1302	文件：81.46 Kbytes Page：1 Pages	HighEfficiency,3.5A	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
VBA1302	文件：398.13 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®GenII •UltraLowOn-ResistanceUsingHigh DensityTrenchFETPowerMOSFET Technology APPLICATIONS •SynchronousBuckLow-Side -Notebook -Server -Workstation •SynchronousRectifier-POL	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBA1302	文件：594.18 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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VBE1302	文件：571.14 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBE1302A	文件：567.15 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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