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MCU80N06	文件：421.15 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
ME80N06T	文件：995.97 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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NP80N06CLD	文件：334.13 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=13mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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NP80N06DLC	文件：235.97 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ·Channeltemperature175degreerated ·Superlowon-stateresistance RDS(on)1=15mWMAX.(VGS=10V,ID=40	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N06DLD	文件：171.96 Kbytes Page：6 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·ChannelTemperature175degreerated ·SuperLowOn-stateResistance RDS(on)1=13mW(MAX.)(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=17mW(MAX.)(VGS=5V,ID=40A) ·LowCiss:Ciss=2360pF(TYP.) ·Built-inGateprotectiond	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N06DLD	文件：243.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=13mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP80N06ELC	文件：235.97 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ·Channeltemperature175degreerated ·Superlowon-stateresistance RDS(on)1=15mWMAX.(VGS=10V,ID=40	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N06ELD	文件：171.96 Kbytes Page：6 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·ChannelTemperature175degreerated ·SuperLowOn-stateResistance RDS(on)1=13mW(MAX.)(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=17mW(MAX.)(VGS=5V,ID=40A) ·LowCiss:Ciss=2360pF(TYP.) ·Built-inGateprotectiond	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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技术参数

功能描述：
THYRISTOR MODULE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
现代芯城（深圳）科技有限公司	TD8102		24+	N/A	46000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳中芯器材有限公司	TD8102X	晶扬电子	23+	SOT-23-6	5650	10年专业做电源IC/原装现货库存	询价
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深圳市一线半导体有限公司	TD8145		24+		2500	自己现货	询价

更多TD80N06KOF-A供应商更新时间2025-7-28 11:06:00

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