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TD352IN | Advanced IGBT/MOSFET Driver Description This device is an advanced gate driver for IGBTs and power MOSFETs. Control and protection functions are included and allow the design of high reliability systems. The innovative active Miller clamp function eliminates the need for negative gate drive in most applications and all 文件：179.09 Kbytes 页数：13 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
TD352IN | Package：8-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：管件 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
LinCMOSE DUAL DIFFERENTIAL COMPARATOR 文件：140.77 Kbytes 页数：9 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
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产品属性
- 产品编号：
TD352IN
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
管件
- 驱动配置：
高端
- 通道类型：
单路
- 栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
12V ~ 26V
- 逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，4.2V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.3A，1.7A
- 输入类型：
非反相
- 上升/下降时间（典型值）：
100ns，100ns（最大）
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
- 供应商器件封装：
8-DIP
- 描述：
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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