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TD352IN集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF中文资料

TD352IN
厂商型号

TD352IN

参数属性

TD352IN 封装/外壳为8-DIP(0.300",7.62mm);包装为管件;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP

功能描述

Advanced IGBT/MOSFET Driver
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP

封装外壳

8-DIP(0.300",7.62mm)

文件大小

179.09 Kbytes

页面数量

13

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
STMICROELECTRONICS
数据手册

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更新时间

2025-8-5 16:18:00

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TD352IN规格书详情

TD352IN属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由意法半导体集团制造生产的TD352IN栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

描述 Description

This device is an advanced gate driver for IGBTs and power MOSFETs. Control and protection functions are included and allow the design of high reliability systems.

The innovative active Miller clamp function eliminates the need for negative gate drive in most applications and allows the use of a simple bootstrap supply for the high side driver.

特性 Features

■ 1.7 A sink / 1.3 A source(typ) current capability

■ Active Miller clamp feature

■ Desaturation detection

■ Adjustable turn-on delay

■ UVLO protection

■ 2k V ESD protection

Applications

■ 1200 V 3-phase inverter

■ Motor control systems

■ UPS

产品属性

更多
  • 产品编号:

    TD352IN

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    高端

  • 通道类型:

    单路

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    12V ~ 26V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,4.2V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    1.3A,1.7A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    100ns,100ns(最大)

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    8-DIP(0.300",7.62mm)

  • 供应商器件封装:

    8-DIP

  • 描述:

    IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP

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