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TD351ID	文件：157.65 Kbytes Page：12 Pages	丝印：TD351I；Package：SO；Advanced IGBT/MOSFET Driver Description ThisdeviceisanadvancedgatedriverforIGBTandpowerMOSFETs.Controlandprotectionfunctionsareincludedandallowthedesignofhighreliabilitysystems. TheinnovativeactiveMillerclampfunctioneliminatestheneedfornegativegatedriveinmostapplicationsandallo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
TD351IDT	文件：157.65 Kbytes Page：12 Pages	丝印：TD351I；Package：SO；Advanced IGBT/MOSFET Driver Description ThisdeviceisanadvancedgatedriverforIGBTandpowerMOSFETs.Controlandprotectionfunctionsareincludedandallowthedesignofhighreliabilitysystems. TheinnovativeactiveMillerclampfunctioneliminatestheneedfornegativegatedriveinmostapplicationsandallo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
TD351IN	文件：157.65 Kbytes Page：12 Pages	丝印：TD351I；Package：DIP；Advanced IGBT/MOSFET Driver Description ThisdeviceisanadvancedgatedriverforIGBTandpowerMOSFETs.Controlandprotectionfunctionsareincludedandallowthedesignofhighreliabilitysystems. TheinnovativeactiveMillerclampfunctioneliminatestheneedfornegativegatedriveinmostapplicationsandallo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
TD351ID	文件：249.11 Kbytes Page：19 Pages	Advanced IGBT/MOSFET driver	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
TD351IDT	文件：249.11 Kbytes Page：19 Pages	Advanced IGBT/MOSFET driver	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
TD351ID	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
TD351IDT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
TD351IN	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：散装类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团

产品属性

产品编号：
TD351ID
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
高端
通道类型：
单路
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
12V ~ 26V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，4.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.3A，1.7A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
100ns，100ns（最大）
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO

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