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UNR421E	文件：334.6 Kbytes Page：14 Pages	SiliconNPNepitaxialplanartype SiliconNPNepitaxialplanartype Fordigitalcircuits ■Features •Costscanbereducedthroughdownsizingoftheequipmentand reductionofthenumberofparts •NewStypepackage,allowingsupplywiththeradialtaping	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
UNR421F	文件：334.6 Kbytes Page：14 Pages	SiliconNPNepitaxialplanartype SiliconNPNepitaxialplanartype Fordigitalcircuits ■Features •Costscanbereducedthroughdownsizingoftheequipmentand reductionofthenumberofparts •NewStypepackage,allowingsupplywiththeradialtaping	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
UNR421K	文件：334.6 Kbytes Page：14 Pages	SiliconNPNepitaxialplanartype SiliconNPNepitaxialplanartype Fordigitalcircuits ■Features •Costscanbereducedthroughdownsizingoftheequipmentand reductionofthenumberofparts •NewStypepackage,allowingsupplywiththeradialtaping	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
UNR421L	文件：334.6 Kbytes Page：14 Pages	SiliconNPNepitaxialplanartype SiliconNPNepitaxialplanartype Fordigitalcircuits ■Features •Costscanbereducedthroughdownsizingoftheequipmentand reductionofthenumberofparts •NewStypepackage,allowingsupplywiththeradialtaping	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
UNR421X	文件：334.6 Kbytes Page：14 Pages	SiliconNPNepitaxialplanartype SiliconNPNepitaxialplanartype Fordigitalcircuits ■Features •Costscanbereducedthroughdownsizingoftheequipmentand reductionofthenumberofparts •NewStypepackage,allowingsupplywiththeradialtaping	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
UPB421C	文件：234.76 Kbytes Page：6 Pages	2048BITBIPOLARTTL	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPB421D	文件：234.76 Kbytes Page：6 Pages	2048BITBIPOLARTTL	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
VDD421LCTA	文件：1.32054 Mbytes Page：20 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetectorwithDelaycircuit GENERALDESCRIPTIONS TheVDDseriesaredelaycircuitbuilt-involtagedetectorswithlow voltage,lowpowerconsumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthe detectionvoltageisdetectedbasedonavoltagereferenceofhigh accuracythatthetemperaturecoefficientiscontrolled.Thedetect	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VDD421LNTA	文件：1.32054 Mbytes Page：20 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetectorwithDelaycircuit GENERALDESCRIPTIONS TheVDDseriesaredelaycircuitbuilt-involtagedetectorswithlow voltage,lowpowerconsumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthe detectionvoltageisdetectedbasedonavoltagereferenceofhigh accuracythatthetemperaturecoefficientiscontrolled.Thedetect	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VDD421MCTA	文件：1.32054 Mbytes Page：20 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetectorwithDelaycircuit GENERALDESCRIPTIONS TheVDDseriesaredelaycircuitbuilt-involtagedetectorswithlow voltage,lowpowerconsumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthe detectionvoltageisdetectedbasedonavoltagereferenceofhigh accuracythatthetemperaturecoefficientiscontrolled.Thedetect	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM

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