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TMCS1107	文件：2.61241 Mbytes Page：41 Pages	TMCS11073BasicIsolationHall-EffectCurrentSensorWith짹420-VWorkingVoltage	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TP1107	文件：167.27 Kbytes Page：2 Pages	25to30WATTSINGLE,DUALandTRIPLEOUTPUTDC-DCCONVERTERS [TOTALPOWERINTERNATIONAL.INC.]	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
TR1107SG	文件：476.22 Kbytes Page：7 Pages	RECTIFIERDIODE FEATURES ■DoubleSideCooling ■HighSurgeCapability APPLICATIONS ■Rectification ■FreewheelDiode ■DCMotorControl ■PowerSupplies ■Welding ■BatteryChargers	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
TS1107	文件：1.55716 Mbytes Page：22 Pages	PowerManagementSystems	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
TWL1107	文件：265.38 Kbytes Page：19 Pages	VOICE-BANDAUDIOPROCESSOR(VBAP田?	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TWL1107PW	文件：265.38 Kbytes Page：19 Pages	VOICE-BANDAUDIOPROCESSOR(VBAP田?	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TWL1107PWR	文件：265.38 Kbytes Page：19 Pages	VOICE-BANDAUDIOPROCESSOR(VBAP田?	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
UM1107	文件：404.57 Kbytes Page：2 Pages	25to30WattDC-DCConverters	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
VBA1107S	文件：740.98 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel100-V(D-S)SuperTrenchPowerMOSFET APPLICATIONS •DC/DCPrimarySideSwitch •Telecom/Server •MotorDriveControl •SynchronousRectification FEATURES •SuperTrenchtechnologyPowerMOSFET •ExcellentgatechargexRds(on)product(FOM) •Verylowon-resfistanceRds(on) •100RgandUISTested	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBM1107S	文件：364.55 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)SuperTrenchPowerMOSFET APPLICATIONS IsolatedDC/DCConverters FEATURES •SuperTrenchtechnologyPowerMOSFET •ExcellentgatechargexRds(on)product(FOM) •Verylowon-resfistanceRds(on) •100%RgandUISTested	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
TCLT1107
功能描述：
晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 80-160%
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
输入类型：
DC
最大集电极/发射极电压：
70 V
最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
绝缘电压：
5300 Vrms
电流传递比：
100 % to 200 %
最大正向二极管电压：
1.65 V
最大输入二极管电流：
60 mA
最大集电极电流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作温度：
+ 110 C
最小工作温度：
- 55 C
封装/箱体：
DIP-4
封装：
Bulk

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