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UY1105W	文件：337.31 Kbytes Page：20 Pages	SingleColorUltraHighBrightnessType	Stanley STANLEY ELECTRIC CO.,LTD.	Stanley
UY1105W	文件：330.61 Kbytes Page：20 Pages	SingleColorUltraHighBrightnessType Package 3216DomeLensType,WaterClearresin Features Productfeatures •OuterDimension3.2x1.6x1.85mm(LxWxH) •Temperaturerange StorageTemperature:InGaN:-40℃～100℃AlGaInP:-40℃～120℃ OperatingTemperature:InGaN:-40℃～85℃AlGaInP:-40℃～100℃ •Lead–free	Stanley STANLEY ELECTRIC CO.,LTD.	Stanley
UY1105W	文件：606.43 Kbytes Page：16 Pages	SingleColorUltraHighBrightnessType Productfeatures ・OuterDimension3.2x1.6x1.85mm(LxWxH) ・Temperaturerange StorageTemperature:-40℃～120℃ OperatingTemperature:-40℃～100℃ ・Lead–freesolderingcompatible ・RoHScompliant	Stanley STANLEY ELECTRIC CO.,LTD.	Stanley
VBE1105	文件：609.91 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBE1105	文件：346.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
VBE1105	文件：622.16 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •LowThermalResistancePackage •100RgTested APPLICATIONS •IsolatedDC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBL1105	文件：544.88 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)175째CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBM1105	文件：647.41 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBM1105	文件：696.58 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •ThunderFET®powerMOSFET •Maximum175°Cjunctiontemperature •100RgandUIStested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBM1105S	文件：364.53 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)SuperTrenchPowerMOSFET APPLICATIONS IsolatedDC/DCConverters FEATURES •SuperTrenchtechnologyPowerMOSFET •ExcellentgatechargexRds(on)product(FOM) •Verylowon-resfistanceRds(on) •100RgandUISTested •	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
TCLT1105
功能描述：
晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 50-150%
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
输入类型：
DC
最大集电极/发射极电压：
70 V
最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
绝缘电压：
5300 Vrms
电流传递比：
100 % to 200 %
最大正向二极管电压：
1.65 V
最大输入二极管电流：
60 mA
最大集电极电流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作温度：
+ 110 C
最小工作温度：
- 55 C
封装/箱体：
DIP-4
封装：
Bulk

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