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TIP142T	文件：204.61 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTORS(10A,60-100V,80W) DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS ...designedforgeneral-purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. 10AMPEREDARLINGTIOONCOM:EMEMTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS80WATTS TIP140T,TIP141T,TIP142T-->NPN TIP145T,TIP146T,TIP147T--->PNP	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
TIP142T	文件：52.75 Kbytes Page：4 Pages	MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors Features •MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,IC=5A(Min.) •IndustrialUse •ComplementtoTIP145T/146T/147T	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
TIP142T	文件：111.12 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •HighDCCurrentGain- :hFE=1000(Min)@IC=5A •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=100V(Min) •ComplementtoTypeTIP147T APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeed switchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TIP142T	文件：161.2 Kbytes Page：2 Pages	SILICONPLANARPOWERDARLINGTONTRANSISTORS SILICONPLANARPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ForuseinPowerLinearandSwitchingApplications	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
TIP142T	文件：53.91 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS Description Thedevicesaremanufacturedinplanartechnologywith“baseisland”layoutandmonolithicDarlingtonconfiguration.Theresultingtransistorsshowexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■MonolithicDarlingtonconfiguration ■	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TIP142T	文件：571.15 Kbytes Page：5 Pages	MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors -HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=2V,IC=5A(Min.) -Collector-EmitterSustainingVoltage -LowCollector-EmitterSaturationVoltage -IndustrialUse -ComplementarytoTIP145/146/147	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
TIP142T	文件：152 Kbytes Page：8 Pages	ComplementarypowerDarlingtontransistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TIP142T	文件：69.96 Kbytes Page：2 Pages	NPNEpitaxialSiliconDarlingtonTransistor Features •MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,lc=5A(Min.) •IndustrialUse •ComplementtoTIP145T/146T/147T	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
TIP142T	文件：304.26 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-220PlasticPackage. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-220PlasticPackage. Features Monolithicconstructionwithbuiltinbase-emittershuntresistors,HighDCcurrentgaincomplementtoTIP147T. Applications Linearandswitchingindustrialequipment.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
TIP142T	文件：80.07 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNDarlingtonPowerTransistor Features •MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,lc=5A(Min.) •IndustrialUse •ComplementtoTIP145T/146T/147T	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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