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TCET1112	文件：266.8 Kbytes Page：9 Pages	Optocoupler with Phototransistor Output Description The TCET111.(G) consists of a phototransistor optically coupled to a gallium arsenide infrared-emitting diode in a 4-lead plastic dual inline package. The elements are mounted on one lead frame using a coplanar technique, providing a fixed distance between input and output for highe 文件：266.8 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
TCET1112	文件：203.42 Kbytes Page：11 Pages	Optocoupler, Phototransistor Output, High Temperature, 110 °C Rated 文件：203.42 Kbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
TCET1112	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 63-125%	Vishay 威世	Vishay
TCET1112G	文件：266.8 Kbytes Page：9 Pages	Optocoupler with Phototransistor Output Description The TCET111.(G) consists of a phototransistor optically coupled to a gallium arsenide infrared-emitting diode in a 4-lead plastic dual inline package. The elements are mounted on one lead frame using a coplanar technique, providing a fixed distance between input and output for highe 文件：266.8 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
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详细参数

型号：
TCET1112
功能描述：
晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 63-125%
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
输入类型：
DC
最大集电极/发射极电压：
70 V
最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
绝缘电压：
5300 Vrms
电流传递比：
100 % to 200 %
最大正向二极管电压：
1.65 V
最大输入二极管电流：
60 mA
最大集电极电流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作温度：
+ 110 C
最小工作温度：
- 55 C
封装/箱体：
DIP-4
封装：
Bulk

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